英国Raptor Photonics公司的Falcon III XV相机是可以直接放置在真空腔室内的高速X射线相机,帧频可达31帧/秒。相机采用电子倍增EMCCD芯片,高达5000倍的EMGain,实现对采集信号的放大,探测能量范围覆盖12eV到20keV,可实现对真空紫外VUV、软X射线的直接探测。

 

 

主要特性

  • 相机放置在真空腔室内使用
  • EMCCD芯片,分辨率1024x1024
  • 满分辨率帧频31fps
  • 可直接探测能量范围12eV-20keV
  • 制冷温度-70℃,暗电流<0.001e - /p/s
  • 提供完整真空馈通的解决方案

 

 

 

 

典型应用

EUV X射线光谱、软X射线显微镜、VUV/EUV/XUV光刻、X射线衍射成像(XRD)、X射线荧光成像(XRF)、X射线相衬成像

 

应用指南:

Appnote - 采用制冷CCD直接探测相机的XUV、软X射线和极紫外(EUV)光谱仪

Appnote -深度制冷CCD相机在文物检测领域的应用 Portable XRDXRF for Cultural Heritage using Deep Cooled CCD Camera

 

>>X-ray衍射(XRD)

X-ray衍射是一种研究物质特性的技术,如大分子、晶体、粉末、 聚合物和纤维。 当X-ray穿过物质时,它们与原子中的电子相互作用,并分散开 来。如果原子是在平面上组织的(即物质是结晶的),并且原子之间 的距离与X-ray的波长大小相同,则会发生构造性和破坏性的干涉, 并形成衍射图案。根据所研究物质的种类,可以使用单色X-ray、粉 红束(窄带)X-ray或白束(宽带)X-ray。

 

X-ray衍射

             

>>EUV紫外光刻

半导体工业使用波长从 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源,其特征尺寸小于100nm,但已达到光刻技术的界限。认识到这 一限制,该行业在过去几年中一直在寻找一种潜在的后继技术,以生 产小于100nm的特性。半导体工业研究的下一代光刻技术包括超视 距光刻、X-ray光刻、离子束投影光刻和电子束投影光刻。尽管EUV 光刻技术也有其挑战,但它经常被使用,因为它保留了上述光刻技术 (波长13.5nm)的外观和感觉,以及使用了相同的基本设计工具。 因此,直接探测X-ray相机为光刻系统工作中提供了好的诊断 和监控手段。

 

EUV光刻


 

>>XUV、软X射线及EUV光谱

美国McPherson Instruments公司的251MX平场光谱仪,采用新的120g/mm光栅和EA4710XO-BN相机,可以轻松实现XUV、软X射线及EUV光谱的测量。

Eagle XO相机安装在251MX光谱仪上

 

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产品彩页

该产品全部数据来源于:https://www.raptorphotonics.com/

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产品参数

Falcon III XV真空腔内高速X射线相机

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  • 型号
    FA351XV-BN-CL
  • 芯片类型
    EMCCD
  • 有效像素
    1024 x 1024
  • 像素尺寸
    10µm x 10µm
  • 有效面积
    10.2mm x 10.2mm
  • 满阱
    >29ke-
  • 移位寄存器阱深
    200ke-
  • 读出噪声(RMS)
    EM Gain ON: <1e- EM Gain OFF: <60e-
  • 满分辨率帧频
    31Hz
  • 曝光时间
    1ms to >1hr
  • 暗电流(e-/p/s)
    0.001 @ -70°C
  • 数据输出格式
    16 bit Camera Link (base configuration / SDR)
  • 峰值量子效率
    >95
  • 光谱响应范围
    12eV to 20keV
  • 制冷温度
    70°C with 20°C liquid
  • 像元合并
    1x1 up to 8x8
  • 同步方式
    Trigger IN and OUT - TTL compatible
  • 供电方式
    12V DC ±0.1
  • 总功耗
    <75W (TEC ON, Steady State)
  • 工作温度
    -20°C to +55°C
  • 存储温度
    -30°C to +60°C
  • 外形尺寸
    168.7mm x 120.0mm x 118.6mm
  • 重量
    <1.5Kg