英国Raptor Photonics公司的Falcon III XO相机是一款高速X射线相机,帧频可达31帧/秒,采用DN160CF(8”)法兰设计,可以与真空室直接连接。相机采用电子倍增EMCCD芯片,高达5000倍的EM Gain,实现对采集信号的放大,探测能量范围覆盖12eV到20keV,可实现对真空紫外VUV、软X射线的直接探测。

 

 

主要特性:FalconXOQE

  • DN160CF (8”)法兰设计,可直接与真空室连接
  • EMCCD芯片,分辨率1024x1024
  • 满分辨率帧频31fps
  • 可直接探测能量范围12eV-20keV
  • 制冷温度-70℃,暗电流<0.001e-/p/s
  • 读出噪声<1e-

 

 

典型应用:

X射线成像及荧光成像(XRF)、X射线衍射成像(XRD)、X射线显微镜、共振非弹性X射线散射(RIXS)、VUV/EUV/XUV光谱、薄膜及纳米纤维、材料组成及结构、X射线等离子体诊断、全息照相及光刻

>>X-ray衍射(XRD)

X-ray衍射是一种研究物质特性的技术,如大分子、晶体、粉末、 聚合物和纤维。 当X-ray穿过物质时,它们与原子中的电子相互作用,并分散开 来。如果原子是在平面上组织的(即物质是结晶的),并且原子之间 的距离与X-ray的波长大小相同,则会发生构造性和破坏性的干涉, 并形成衍射图案。根据所研究物质的种类,可以使用单色X-ray、粉 红束(窄带)X-ray或白束(宽带)X-ray。

X-ray衍射

             

>>EUV紫外光刻

半导体工业使用波长从 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源,其特征尺寸小于100nm,但已达到光刻技术的界限。认识到这 一限制,该行业在过去几年中一直在寻找一种潜在的后继技术,以生 产小于100nm的特性。半导体工业研究的下一代光刻技术包括超视 距光刻、X-ray光刻、离子束投影光刻和电子束投影光刻。尽管EUV 光刻技术也有其挑战,但它经常被使用,因为它保留了上述光刻技术 (波长13.5nm)的外观和感觉,以及使用了相同的基本设计工具。 因此,直接探测X-ray相机为光刻系统工作中提供了好的诊断 和监控手段。

EUV光刻


 

>>XUV、软X射线及EUV光谱

美国McPherson Instruments公司的251MX平场光谱仪,采用新的120g/mm光栅和EA4710XO-BN相机,可以轻松实现XUV、软X射线及EUV光谱的测量。

Eagle XO相机安装在251MX光谱仪上

 

 

资料下载

产品彩页 - Falcon III XO法兰安装型高速X射线相机.pdf

应用案例 - 采用制冷CCD直接探测相机的XUV、软X射线和极紫外(EUV)光谱仪.pdf

应用案例 -深度制冷CCD相机在文物检测领域的应用.pdf

该产品全部数据来源于:https://www.raptorphotonics.com/

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产品参数

Falcon III XO法兰安装型高速X射线相机

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  • 型号
    FA351XO-BN-CL
  • 芯片类型
    EMCCD
  • 有效像素
    1024 x 1024
  • 像素尺寸
    10µm x 10µm
  • 读出噪声(RMS)
    EM Gain ON: <1e- EM Gain OFF: <60e-
  • 满分辨率帧频
    31Hz
  • 暗电流(e-/p/s)
    0.001 @ -70°C
  • 峰值量子效率
    >95
  • 光谱响应范围
    12eV to 20keV
  • 制冷温度
    70°C with 20°C liquid
  • 曝光时间
    1ms to >1hr