主要特性:
- DN160CF (8”)法兰设计,可直接与真空室连接
- EMCCD芯片,分辨率1024x1024
- 满分辨率帧频31fps
- 可直接探测能量范围12eV-20keV
- 制冷温度-70℃,暗电流<0.001e-/p/s
- 读出噪声<1e-
典型应用:
X射线成像及荧光成像(XRF)、X射线衍射成像(XRD)、X射线显微镜、共振非弹性X射线散射(RIXS)、VUV/EUV/XUV光谱、薄膜及纳米纤维、材料组成及结构、X射线等离子体诊断、全息照相及光刻
>>X-ray衍射(XRD)
X-ray衍射是一种研究物质特性的技术,如大分子、晶体、粉末、 聚合物和纤维。 当X-ray穿过物质时,它们与原子中的电子相互作用,并分散开 来。如果原子是在平面上组织的(即物质是结晶的),并且原子之间 的距离与X-ray的波长大小相同,则会发生构造性和破坏性的干涉, 并形成衍射图案。根据所研究物质的种类,可以使用单色X-ray、粉 红束(窄带)X-ray或白束(宽带)X-ray。
>>EUV紫外光刻
半导体工业使用波长从 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源,其特征尺寸小于100nm,但已达到光刻技术的界限。认识到这 一限制,该行业在过去几年中一直在寻找一种潜在的后继技术,以生 产小于100nm的特性。半导体工业研究的下一代光刻技术包括超视 距光刻、X-ray光刻、离子束投影光刻和电子束投影光刻。尽管EUV 光刻技术也有其挑战,但它经常被使用,因为它保留了上述光刻技术 (波长13.5nm)的外观和感觉,以及使用了相同的基本设计工具。 因此,直接探测X-ray相机为光刻系统工作中提供了好的诊断 和监控手段。
>>XUV、软X射线及EUV光谱
美国McPherson Instruments公司的251MX平场光谱仪,采用新的120g/mm光栅和EA4710XO-BN相机,可以轻松实现XUV、软X射线及EUV光谱的测量。
Eagle XO相机安装在251MX光谱仪上
产品彩页 - Falcon III XO法兰安装型高速X射线相机.pdf
应用案例 - 采用制冷CCD直接探测相机的XUV、软X射线和极紫外(EUV)光谱仪.pdf
该产品全部数据来源于:https://www.raptorphotonics.com/
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产品参数
Falcon III XO法兰安装型高速X射线相机
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型号FA351XO-BN-CL
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芯片类型EMCCD
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有效像素1024 x 1024
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像素尺寸10µm x 10µm
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读出噪声(RMS)EM Gain ON: <1e- EM Gain OFF: <60e-
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满分辨率帧频31Hz
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暗电流(e-/p/s)0.001 @ -70°C
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峰值量子效率>95
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光谱响应范围12eV to 20keV
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制冷温度70°C with 20°C liquid
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曝光时间1ms to >1hr